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首页 全部分类 IRF6714MTRPBF vs IRF6795MTRPBF

IRF6714MTRPBF备选型号: IRF6795MTRPBF

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  • 端子位置
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  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
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  • 连续放电电流(ID)
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  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    IRF6714MTRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric MX
    5
    SILICON
    29A Ta 166A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2008
    e1
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    2.1MOhm
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    BOTTOM
    R-XBCC-N3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    89W
    DRAIN
    18 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    2.1m Ω @ 29A, 10V
    2.4V @ 100μA
    3890pF @ 13V
    44nC @ 4.5V
    26ns
    ±20V
    9.6 ns
    29mA
    20V
    29A
    25V
    234A
    506μm
    6.35mm
    5.05mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
  • Infineon Technologies
    IRF6795MTRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 25V 32A DIRECTFET-MX
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric MX
    7
    SILICON
    32A Ta 160A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2010
    e1
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    BOTTOM
    R-XBCC-N3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    75W
    DRAIN
    16 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1.8m Ω @ 32A, 10V
    2.35V @ 100μA
    4280pF @ 13V
    53nC @ 4.5V
    27ns
    ±20V
    11 ns
    32A
    20V
    -
    25V
    250A
    506μm
    6.35mm
    5.05mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
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