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首页 全部分类 IRF6718L2TR1PBF vs IRF6717MTR1PBF

IRF6718L2TR1PBF备选型号: IRF6717MTR1PBF

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  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • Vgs（最大值）
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  • 阈值电压
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  • 输入电容
  • 恢复时间
  • 漏源电阻
  • 最大rds
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  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • Infineon Technologies
    IRF6718L2TR1PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 25V 61A DIRECTFET L6
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric L6
    13
    DIRECTFET L6
    61A Ta 270A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2011
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    SMD/SMT
    500kOhm
    175°C
    -55°C
    Single
    4.3W
    67 ns
    N-Channel
    0.7mOhm @ 61A, 10V
    2.35V @ 150μA
    6500pF @ 13V
    96nC @ 4.5V
    140ns
    25V
    ±20V
    53 ns
    61A
    1.9V
    20V
    25V
    25V
    6.5nF
    59 ns
    700μOhm
    700 μΩ
    1.9 V
    508μm
    9.144mm
    7.1mm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF6717MTR1PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 25V 38A DIRECTFET
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric MX
    7
    -
    38A Ta 200A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2009
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    SMD/SMT
    1.25MOhm
    -
    -
    Single
    96W
    25 ns
    N-Channel
    1.25m Ω @ 38A, 10V
    2.35V @ 150μA
    6750pF @ 13V
    69nC @ 4.5V
    37ns
    -
    ±20V
    15 ns
    38A
    1.8V
    20V
    25V
    25V
    -
    41 ns
    -
    -
    1.8 V
    533.4μm
    5.45mm
    5.05mm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    12 Weeks
    SILICON
    e3
    3
    EAR99
    哑光锡
    BOTTOM
    260
    40
    R-XBCC-N3
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    300A
    290 mJ
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