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首页 全部分类 IRF6727MTRPBF vs IRF6635TRPBF

IRF6727MTRPBF备选型号: IRF6635TRPBF

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  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
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  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 电阻
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 栅源电压
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    IRF6727MTRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric MX
    5
    SILICON
    32A Ta 180A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2009
    HEXFET®
    e1
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    BOTTOM
    R-XBCC-N3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    89W
    DRAIN
    21 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1.7m Ω @ 32A, 10V
    2.35V @ 100μA
    6190pF @ 15V
    74nC @ 4.5V
    31ns
    ±20V
    16 ns
    32A
    1.8V
    20V
    30V
    260A
    508μm
    6.35mm
    5.0546mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF6635TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
    13 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric MX
    5
    SILICON
    32A Ta 180A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2006
    HEXFET®
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    BOTTOM
    R-XBCC-N3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    89W
    DRAIN
    21 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1.8m Ω @ 32A, 10V
    2.35V @ 250μA
    5970pF @ 15V
    71nC @ 4.5V
    13ns
    ±20V
    8.3 ns
    32mA
    1.8V
    20V
    30V
    -
    506μm
    6.35mm
    5.05mm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    1.8MOhm
    30V
    32A
    200 mJ
    1.8 V
    无铅
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