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首页 全部分类 IRF6729MTR1PBF vs IRF6727MTRPBF

IRF6729MTR1PBF备选型号: IRF6727MTRPBF

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  • RoHS状态
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  • 晶体管元件材料
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  • 终止次数
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  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • Infineon Technologies
    IRF6729MTR1PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 31A DIRECTFET
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric MX
    7
    DIRECTFET™ MX
    31A Ta 190A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2009
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    150°C
    -40°C
    Single
    2.8W
    22 ns
    N-Channel
    1.8mOhm @ 31A, 10V
    2.35V @ 150μA
    6030pF @ 15V
    63nC @ 4.5V
    37ns
    30V
    ±20V
    15 ns
    31A
    1.8V
    20V
    30V
    6.03nF
    2.7mOhm
    1.8 mΩ
    1.8 V
    506μm
    6.35mm
    5.05mm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF6727MTRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric MX
    5
    -
    32A Ta 180A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2009
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    89W
    21 ns
    N-Channel
    1.7m Ω @ 32A, 10V
    2.35V @ 100μA
    6190pF @ 15V
    74nC @ 4.5V
    31ns
    -
    ±20V
    16 ns
    32A
    1.8V
    20V
    30V
    -
    -
    -
    -
    508μm
    6.35mm
    5.0546mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    12 Weeks
    SILICON
    e1
    3
    EAR99
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    BOTTOM
    R-XBCC-N3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    260A
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