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首页 全部分类 IRF6785MTR1PBF vs IRF3315SPBF

IRF6785MTR1PBF备选型号: IRF3315SPBF

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  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
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  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
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  • 终端形式
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  • JESD-30代码
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • Infineon Technologies
    IRF6785MTR1PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 200V 3.4A DIRECTFET
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric MZ
    7
    DIRECTFET™ MZ
    3.4A Ta 19A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2007
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    SMD/SMT
    100MOhm
    150°C
    -40°C
    Dual
    57W
    6.2 ns
    N-Channel
    100mOhm @ 4.2A, 10V
    5V @ 100μA
    1500pF @ 25V
    36nC @ 10V
    8.6ns
    200V
    ±20V
    14 ns
    19A
    5V
    20V
    200V
    200V
    1.5nF
    85mOhm
    100 mΩ
    5 V
    506μm
    6.35mm
    5.05mm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF3315SPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    -
    21A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    1997
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    SMD/SMT
    -
    -
    -
    Single
    84W
    9.6 ns
    N-Channel
    82m Ω @ 12A, 10V
    4V @ 250μA
    1300pF @ 25V
    95nC @ 10V
    32ns
    -
    ±20V
    38 ns
    21A
    4V
    20V
    150V
    150V
    -
    -
    -
    4 V
    4.83mm
    10.67mm
    9.65mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    SILICON
    e3
    2
    EAR99
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    雪崩 额定
    150V
    鸥翼
    260
    21A
    30
    R-PSSO-G2
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    0.082Ohm
    84A
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