IRF7331TRPBF备选型号: IRF7401TRPBF
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
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- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 电阻
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 额定电流
- 基本部件号
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- ECCN 代码
- 附加功能
- 端子位置
- 行间距
- Vgs(最大值)
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-SOIC12 Weeks表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8SILICON2-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2008Obsolete1 (Unlimited)830MOhm20V2W鸥翼7AIRF7331PBFDual增强型MOSFET2W7.6 ns2 N-Channel (Dual)SWITCHING30m Ω @ 7A, 4.5V1.2V @ 250μA1340pF @ 16V20nC @ 4.5V22ns50 ns7A1.2V12V7A20V20VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门1.2 V1.4986mm4.9784mm3.9878mm无SVHC无ROHS3 CompliantContains Lead, Lead Free------
- MOSFET N-CH 20V 8.7A 8-SOIC12 Weeks表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8SILICON65 ns-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2004活跃1 (Unlimited)822mOhm20V-鸥翼8.7A-Single增强型MOSFET2.5W13 nsN-ChannelSWITCHING22m Ω @ 4.1A, 4.5V700mV @ 250μA1600pF @ 15V48nC @ 4.5V72ns92 ns8.7A700mV12V-20V20V--700 mV1.4986mm4.9784mm3.9878mm无SVHC无ROHS3 CompliantContains Lead, Lead FreeEAR99超低电阻DUAL6.3 mm±12V35A
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DMN2041LSD-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2N-CH 20V 7.63A 8SO | 对比 |




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