IRF7341TRPBF备选型号: IRF7343TRPBF

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  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 最大功率耗散
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 行间距
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • 场效应管技术
  • 恢复时间
  • 最大结点温度(Tj)
  • 场效应管特性
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 端子位置
  • 极性/通道类型
  • Infineon Technologies
    MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC
    12 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2004
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    50mOhm
    AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA LOW RESISTANCE
    55V
    2W
    鸥翼
    260
    4.7A
    30
    IRF7341PBF
    6.3 mm
    2
    Dual
    增强型MOSFET
    2W
    8.3 ns
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    50m Ω @ 4.7A, 10V
    1V @ 250μA
    740pF @ 25V
    36nC @ 10V
    3.2ns
    13 ns
    4.7A
    1V
    20V
    5.1A
    55V
    55V
    140 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    90 ns
    150°C
    逻辑电平门
    1 V
    1.75mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    Contains Lead, Lead Free
    -
    -
  • Infineon Technologies
    MOSFET N/P-CH 55V 8-SOIC
    12 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    4.7A 3.4A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2004
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    50mOhm
    AVALANCHE RATED, ULTRA LOW RESISTANCE
    -
    2W
    鸥翼
    -
    4.7A
    -
    IRF7343PBF
    6.3 mm
    2
    -
    增强型MOSFET
    2W
    8.3 ns
    N and P-Channel
    SWITCHING
    50m Ω @ 4.7A, 10V
    1V @ 250μA
    740pF @ 25V
    36nC @ 10V
    10ns
    22 ns
    4.7A
    1V
    20V
    -
    55V
    -
    -
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    -
    150°C
    Standard
    1 V
    1.75mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    DUAL
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
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