IRF7341TRPBF备选型号: IRF7343TRPBF
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 行间距
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 雪崩能量等级(Eas)
- 场效应管技术
- 恢复时间
- 最大结点温度(Tj)
- 场效应管特性
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 端子位置
- 极性/通道类型
- MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC12 WeeksTin表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8SILICON2-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2004e3活跃1 (Unlimited)8EAR9950mOhmAVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA LOW RESISTANCE55V2W鸥翼2604.7A30IRF7341PBF6.3 mm2Dual增强型MOSFET2W8.3 ns2 N-Channel (Dual)SWITCHING50m Ω @ 4.7A, 10V1V @ 250μA740pF @ 25V36nC @ 10V3.2ns13 ns4.7A1V20V5.1A55V55V140 mJMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR90 ns150°C逻辑电平门1 V1.75mm4.9784mm3.9878mm无SVHC无ROHS3 CompliantContains Lead, Lead Free--
- MOSFET N/P-CH 55V 8-SOIC12 WeeksTin表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8SILICON4.7A 3.4A-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2004e3活跃1 (Unlimited)8EAR9950mOhmAVALANCHE RATED, ULTRA LOW RESISTANCE-2W鸥翼-4.7A-IRF7343PBF6.3 mm2-增强型MOSFET2W8.3 nsN and P-ChannelSWITCHING50m Ω @ 4.7A, 10V1V @ 250μA740pF @ 25V36nC @ 10V10ns22 ns4.7A1V20V-55V--METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR-150°CStandard1 V1.75mm4.9784mm3.9878mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅DUALN-CHANNEL AND P-CHANNEL
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
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