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首页 全部分类 IRF7342D2PBF vs DMP3085LSD-13

IRF7342D2PBF备选型号: DMP3085LSD-13

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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • Vgs（最大值）
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  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
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  • 场效应管特性
  • 栅源电压
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  • 辐射硬化
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  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 最大功率耗散
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 参考标准
  • 通道数量
  • 操作模式
  • 晶体管应用
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 场效应管技术
  • 最大结点温度（Tj）
  • Infineon Technologies
    IRF7342D2PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET P-CH 55V 3.4A 8-SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    3.4A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    FETKY™
    2004
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    SMD/SMT
    EAR99
    105MOhm
    -55V
    -3.4A
    Single
    2W
    14 ns
    P-Channel
    105m Ω @ 3.4A, 10V
    1V @ 250μA
    690pF @ 25V
    38nC @ 10V
    10ns
    55V
    ±20V
    22 ns
    -3.4A
    -1V
    20V
    -55V
    -55V
    Schottky Diode (Isolated)
    -1 V
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMP3085LSD-13
    Diodes Incorporated
    MOSFET 2P-CH 30V 3.9A 8SO
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    3.9A
    -55°C~150°C TJ
    Digi-Reel®
    -
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    1.1W
    4.8 ns
    2 P-Channel (Dual)
    70m Ω @ 5.3A, 10V
    3V @ 250μA
    563pF @ 25V
    11nC @ 10V
    5ns
    30V
    -
    14.6 ns
    -3.9A
    -
    20V
    -30V
    -
    逻辑电平门
    -
    1.7mm
    4.95mm
    3.95mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    23 Weeks
    SILICON
    e3
    8
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    1.1W
    鸥翼
    260
    30
    AEC-Q101
    2
    增强型MOSFET
    SWITCHING
    0.07Ohm
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    150°C
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