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首页 全部分类 IRF7380TRPBF vs FDS4559

IRF7380TRPBF备选型号: FDS4559

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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
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  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 栅源电压
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  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
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  • 生命周期状态
  • 质量
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  • 通道数量
  • 功率 - 最大
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  • 双电源电压
  • 最大结点温度（Tj）
  • Infineon Technologies
    IRF7380TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET 2N-CH 80V 3.6A 8-SOIC
    12 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2008
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    73MOhm
    80V
    2W
    鸥翼
    260
    3.6A
    30
    IRF7380PBF
    Dual
    增强型MOSFET
    2W
    9 ns
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    73m Ω @ 2.2A, 10V
    4V @ 250μA
    660pF @ 25V
    23nC @ 10V
    10ns
    17 ns
    3.6A
    4V
    20V
    80V
    75 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    4 V
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDS4559
    ON Semiconductor
    ON SEMICONDUCTOR - FDS4559 - DUAL N/P CHANNEL MOSFET, 60V, SOIC
    8 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    4.5A 3.5A
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2002
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    55MOhm
    -
    2W
    鸥翼
    -
    4.5A
    -
    -
    Dual
    增强型MOSFET
    2W
    -
    N and P-Channel
    SWITCHING
    55m Ω @ 4.5A, 10V
    3V @ 250μA
    650pF @ 25V
    18nC @ 10V
    10ns
    12 ns
    4.5A
    2.2V
    20V
    60V
    90 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    2.2 V
    1.75mm
    5mm
    4mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    187mg
    yes
    SMD/SMT
    2
    1W
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
    60V
    175°C
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