IRF7403TRPBF备选型号: SI4410DYTRPBF
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 电阻
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 端子位置
- 终端形式
- 额定电流
- 行间距
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 恢复时间
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- JESD-609代码
- 终端
- ECCN 代码
- 晶体管应用
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级(Eas)
- MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-SOIC12 WeeksTinSurface Mount, Through Hole表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8SILICON8.5A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®1997活跃1 (Unlimited)822mOhm逻辑电平兼容30VDUAL鸥翼8.5A6.3 mmSingle增强型MOSFET2.5W10 nsN-Channel22m Ω @ 4A, 10V1V @ 250μA1200pF @ 25V57nC @ 10V37ns±20V40 ns8.5A1V20V6.7A30V30V78 ns1 V1.4986mm4.9784mm3.9878mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅------
- MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC14 WeeksTin表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8SILICON10A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2001不用于新设计1 (Unlimited)813.5mOhm-30VDUAL鸥翼10A-Single增强型MOSFET2.5W11 nsN-Channel13.5m Ω @ 10A, 10V1V @ 250μA1585pF @ 15V45nC @ 10V7.7ns±20V44 ns10A1V20V-30V30V-1 V1.4986mm4.9784mm3.9878mm无SVHC无ROHS3 CompliantContains Lead, Lead Freee3SMD/SMTEAR99SWITCHING50A400 mJ
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
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