IRF7403TRPBF备选型号: SI4410DYTRPBF

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  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 电阻
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 额定电流
  • 行间距
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 恢复时间
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • JESD-609代码
  • 终端
  • ECCN 代码
  • 晶体管应用
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-SOIC
    12 Weeks
    Tin
    Surface Mount, Through Hole
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    8.5A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    1997
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    22mOhm
    逻辑电平兼容
    30V
    DUAL
    鸥翼
    8.5A
    6.3 mm
    Single
    增强型MOSFET
    2.5W
    10 ns
    N-Channel
    22m Ω @ 4A, 10V
    1V @ 250μA
    1200pF @ 25V
    57nC @ 10V
    37ns
    ±20V
    40 ns
    8.5A
    1V
    20V
    6.7A
    30V
    30V
    78 ns
    1 V
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC
    14 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    10A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2001
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    8
    13.5mOhm
    -
    30V
    DUAL
    鸥翼
    10A
    -
    Single
    增强型MOSFET
    2.5W
    11 ns
    N-Channel
    13.5m Ω @ 10A, 10V
    1V @ 250μA
    1585pF @ 15V
    45nC @ 10V
    7.7ns
    ±20V
    44 ns
    10A
    1V
    20V
    -
    30V
    30V
    -
    1 V
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    Contains Lead, Lead Free
    e3
    SMD/SMT
    EAR99
    SWITCHING
    50A
    400 mJ
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