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首页 全部分类 IRF7425TRPBF vs IRF7456TRPBF

IRF7425TRPBF备选型号: IRF7456TRPBF

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  • 场效应管类型
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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 双电源电压
  • 恢复时间
  • 最大结点温度（Tj）
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 附加功能
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • Infineon Technologies
    IRF7425TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET P-CH 20V 15A 8-SOIC
    12 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    15A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2006
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    SMD/SMT
    EAR99
    8.2MOhm
    -20V
    DUAL
    鸥翼
    260
    -15A
    30
    1
    Single
    增强型MOSFET
    2.5W
    13 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    8.2m Ω @ 15A, 4.5V
    1.2V @ 250μA
    7980pF @ 15V
    130nC @ 4.5V
    20ns
    ±12V
    160 ns
    -15A
    -1.2V
    12V
    -20V
    60A
    20V
    180 ns
    150°C
    1.2 V
    1.75mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF7456TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 20V 16A 8-SOIC
    12 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    16A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2008
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    -
    EAR99
    6.5mOhm
    20V
    DUAL
    鸥翼
    -
    16A
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    2.5W
    20 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    6.5m Ω @ 16A, 10V
    2V @ 250μA
    3640pF @ 15V
    62nC @ 5V
    25ns
    ±12V
    52 ns
    16A
    2V
    12V
    20V
    -
    20V
    72 ns
    -
    2 V
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    雪崩 额定
    250 mJ
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FDS6574A FDS6574A ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) Trans MOSFET N-CH 20V 16A 8-Pin SOIC N T/R 对比