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首页 全部分类 IRF7807ZTRPBF vs SI4410DYTRPBF

IRF7807ZTRPBF备选型号: SI4410DYTRPBF

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  • 漏源击穿电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
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  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
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  • 终端
  • 元素配置
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 双电源电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • Infineon Technologies
    IRF7807ZTRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    11A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2005
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    8.2MOhm
    Matte Tin (Sn)
    30V
    DUAL
    鸥翼
    260
    11A
    30
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    2.5W
    6.9 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    13.8m Ω @ 11A, 10V
    2.25V @ 250μA
    770pF @ 15V
    11nC @ 4.5V
    6.2ns
    ±20V
    3.1 ns
    11A
    1.8V
    20V
    30V
    1.8 V
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    Contains Lead, Lead Free
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    SI4410DYTRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC
    14 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    10A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2001
    e3
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    13.5mOhm
    -
    30V
    DUAL
    鸥翼
    -
    10A
    -
    -
    增强型MOSFET
    2.5W
    11 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    13.5m Ω @ 10A, 10V
    1V @ 250μA
    1585pF @ 15V
    45nC @ 10V
    7.7ns
    ±20V
    44 ns
    10A
    1V
    20V
    30V
    1 V
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    Contains Lead, Lead Free
    Tin
    SMD/SMT
    Single
    50A
    30V
    400 mJ
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