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IRF7820PBF备选型号: IRF7820TRPBF

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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 配置
  • 操作模式
  • 漏源电压 (Vdss)
  • DS 击穿电压-最小值
  • Infineon Technologies
    IRF7820PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N CH 200V 3.7A 8-SO
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    3.7A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2012
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    DUAL
    鸥翼
    Single
    2.5W
    7.1 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    78m Ω @ 2.2A, 10V
    5V @ 100μA
    1750pF @ 100V
    44nC @ 10V
    3.2ns
    ±20V
    12 ns
    3.7A
    4V
    20V
    200V
    4 V
    1.5mm
    5mm
    4mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF7820TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N CH 200V 3.7A 8-SO
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    3.7A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2012
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    DUAL
    鸥翼
    -
    2.5W
    7.1 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    78m Ω @ 2.2A, 10V
    5V @ 100μA
    1750pF @ 100V
    44nC @ 10V
    3.2ns
    ±20V
    12 ns
    3.7A
    4V
    20V
    -
    4 V
    -
    -
    -
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    12 Weeks
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    200V
    200V
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