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IRF7853TRPBF备选型号: IRF7854PBF

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  • 最小工作温度
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  • 输入电容
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  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 栅源电压
  • Infineon Technologies
    IRF7853TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-SOIC
    12 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    8.3A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2006
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    18MOhm
    DUAL
    鸥翼
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    2.5W
    13 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    18m Ω @ 8.3A, 10V
    4.9V @ 100μA
    1640pF @ 25V
    39nC @ 10V
    6.6ns
    ±20V
    6 ns
    8.3A
    20V
    100V
    66A
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    Unknown
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF7854PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 80V 10A 8-SOIC
    -
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    -
    10A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2006
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    13.4MOhm
    -
    -
    -
    -
    2.5W
    9.4 ns
    N-Channel
    -
    13.4mOhm @ 10A, 10V
    4.9V @ 100μA
    1620pF @ 25V
    41nC @ 10V
    8.5ns
    ±20V
    8.6 ns
    10A
    20V
    80V
    -
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    8-SO
    SMD/SMT
    150°C
    -55°C
    2.5A
    80V
    4.9V
    80V
    1.62nF
    65 ns
    13.4mOhm
    13.4 mΩ
    4.9 V
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