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首页 全部分类 IRF8306MTRPBF vs IRF6795MTRPBF

IRF8306MTRPBF备选型号: IRF6795MTRPBF

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  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • JESD-30代码
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • Infineon Technologies
    IRF8306MTRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 23A DIRECTFET
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric MX
    7
    23A Ta 140A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2007
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Single
    75W
    16 ns
    N-Channel
    2.5m Ω @ 23A, 10V
    2.35V @ 100μA
    4110pF @ 15V
    38nC @ 4.5V
    34ns
    ±20V
    19 ns
    23A
    20V
    30V
    Schottky Diode (Body)
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF6795MTRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 25V 32A DIRECTFET-MX
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric MX
    7
    32A Ta 160A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2010
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    75W
    16 ns
    N-Channel
    1.8m Ω @ 32A, 10V
    2.35V @ 100μA
    4280pF @ 13V
    53nC @ 4.5V
    27ns
    ±20V
    11 ns
    32A
    20V
    25V
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    12 Weeks
    SILICON
    e1
    3
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    BOTTOM
    R-XBCC-N3
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    250A
    506μm
    6.35mm
    5.05mm
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