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首页 全部分类 IRF8714GTRPBF vs DMG4406LSS-13

IRF8714GTRPBF备选型号: DMG4406LSS-13

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  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 终端形式
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  • 引脚数量
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 晶体管应用
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    IRF8714GTRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    14A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2009
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Single
    增强型MOSFET
    2.5W
    10 ns
    N-Channel
    8.7m Ω @ 14A, 10V
    2.35V @ 25μA
    1020pF @ 15V
    12nC @ 4.5V
    9.9ns
    ±20V
    5 ns
    14A
    20V
    30V
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMG4406LSS-13
    Diodes Incorporated
    MOSFET N CH 30V 10.3A 8-SO
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    10.3A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    2011
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    增强型MOSFET
    2W
    5.2 ns
    N-Channel
    11m Ω @ 12A, 10V
    2V @ 250μA
    1281pF @ 15V
    26.7nC @ 10V
    21.2ns
    ±20V
    5.1 ns
    10.3A
    20V
    30V
    1.5mm
    4.95mm
    3.95mm
    无
    ROHS3 Compliant
    73.992255mg
    SILICON
    e3
    yes
    8
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    DUAL
    鸥翼
    260
    30
    8
    1
    Single
    SWITCHING
    9.3A
    90A
    无SVHC
    无铅
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