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首页 全部分类 IRF9Z34NPBF vs IRFZ24NPBF

IRF9Z34NPBF备选型号: IRFZ24NPBF

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  • 箱体转运
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  • 晶体管应用
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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 双电源电压
  • 恢复时间
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 通道数量
  • 最大结点温度（Tj）
  • Infineon Technologies
    IRF9Z34NPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET P-CH 55V 19A TO-220AB
    12 Weeks
    Tin
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    19A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    1997
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    通孔
    EAR99
    100mOhm
    AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
    -55V
    250
    -19A
    30
    2.54mm
    Single
    增强型MOSFET
    56W
    DRAIN
    13 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    100m Ω @ 10A, 10V
    4V @ 250μA
    620pF @ 25V
    35nC @ 10V
    55ns
    55V
    ±20V
    41 ns
    -19A
    -4V
    TO-220AB
    20V
    -55V
    68A
    -55V
    82 ns
    -4 V
    8.77mm
    10.5156mm
    4.69mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFZ24NPBF
    Infineon Technologies
    Transistor MOSFET N Channel 55 Volt 17 Amp 3 Pin 3 Tab TO-220 AB
    12 Weeks
    Tin
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    17A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    1999
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    通孔
    EAR99
    70mOhm
    雪崩 额定
    55V
    -
    17A
    -
    2.54mm
    Single
    增强型MOSFET
    45W
    DRAIN
    4.9 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    70m Ω @ 10A, 10V
    4V @ 250μA
    370pF @ 25V
    20nC @ 10V
    34ns
    -
    ±20V
    27 ns
    17A
    2V
    TO-220AB
    20V
    55V
    68A
    55V
    -
    4 V
    19.8mm
    10.5156mm
    4.69mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    1
    175°C
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