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首页 全部分类 IRF9Z34NSTRLPBF vs IRLZ24NSTRLPBF

IRF9Z34NSTRLPBF备选型号: IRLZ24NSTRLPBF

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  • 雪崩能量等级（Eas）
  • Infineon Technologies
    IRF9Z34NSTRLPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    SILICON
    19A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    1997
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    100mOhm
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
    -55V
    鸥翼
    260
    -19A
    30
    R-PSSO-G2
    1
    Single
    增强型MOSFET
    68W
    DRAIN
    13 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    100m Ω @ 10A, 10V
    4V @ 250μA
    620pF @ 25V
    35nC @ 10V
    55ns
    ±20V
    41 ns
    -19A
    -2V
    20V
    -55V
    68A
    55V
    82 ns
    175°C
    -4 V
    4.83mm
    10.668mm
    9.65mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    Contains Lead, Lead Free
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRLZ24NSTRLPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 55V; RDS(ON) 0.06Ohm; ID 18A; D2Pak; PD 45W; VGS /-16V; Qg 15
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    SILICON
    18A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    1996
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    60mOhm
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
    55V
    鸥翼
    260
    17A
    30
    R-PSSO-G2
    -
    Single
    增强型MOSFET
    45W
    DRAIN
    7.1 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    60m Ω @ 11A, 10V
    2V @ 250μA
    480pF @ 25V
    15nC @ 5V
    74ns
    ±16V
    29 ns
    18A
    -
    16V
    55V
    72A
    55V
    90 ns
    -
    2 V
    4.699mm
    10.668mm
    9.65mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    Contains Lead, Lead Free
    SMD/SMT
    60 ns
    68 mJ
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