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首页 全部分类 IRFB4110PBF vs IRFB3207PBF

IRFB4110PBF备选型号: IRFB3207PBF

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  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
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  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
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  • 双电源电压
  • 恢复时间
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 螺纹距离
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • Infineon Technologies
    IRFB4110PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 100V; RDS(ON) 3.7 Milliohms; ID 180A; TO-220AB; PD 370W
    12 Weeks
    Tin
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    120A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2008
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    通孔
    EAR99
    100V
    180A
    Single
    增强型MOSFET
    370W
    DRAIN
    25 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    4.5m Ω @ 75A, 10V
    4V @ 250μA
    9620pF @ 50V
    210nC @ 10V
    67ns
    ±20V
    88 ns
    180A
    4V
    TO-220AB
    20V
    0.0045Ohm
    100V
    670A
    100V
    75 ns
    4 V
    16.51mm
    10.66mm
    4.826mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFB3207PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 75V 180A TO-220AB
    12 Weeks
    -
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    1
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2004
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    EAR99
    75V
    180A
    Single
    增强型MOSFET
    300W
    DRAIN
    29 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    4.5m Ω @ 75A, 10V
    4V @ 250μA
    7600pF @ 50V
    260nC @ 10V
    120ns
    ±20V
    74 ns
    180A
    4V
    TO-220AB
    20V
    0.0045Ohm
    75V
    720A
    75V
    -
    4 V
    4.82mm
    10.6426mm
    4.826mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    2.54mm
    75A
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