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首页 全部分类 IRFB4321GPBF vs FDP2532

IRFB4321GPBF备选型号: FDP2532

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  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • JEDEC-95代码
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 恢复时间
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    IRFB4321GPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 150V 83A TO-220AB
    Tin
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    TO-220AB
    83A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2009
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    175°C
    -55°C
    Single
    330W
    18 ns
    N-Channel
    15mOhm @ 33A, 10V
    5V @ 250μA
    4460pF @ 25V
    110nC @ 10V
    60ns
    150V
    ±30V
    35 ns
    83A
    5V
    30V
    150V
    4.46nF
    15mOhm
    15 mΩ
    5 V
    16.51mm
    10.668mm
    4.826mm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDP2532
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(3 Tab) TO-220AB Tube
    -
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    -
    8A Ta 79A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    PowerTrench®
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    Single
    310W
    16 ns
    N-Channel
    16m Ω @ 33A, 10V
    4V @ 250μA
    5870pF @ 25V
    107nC @ 10V
    30ns
    -
    ±20V
    17 ns
    79A
    4V
    20V
    150V
    -
    -
    -
    -
    9.4mm
    10.67mm
    4.83mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    9 Weeks
    1.8g
    SILICON
    e3
    yes
    3
    EAR99
    16MOhm
    Tin (Sn)
    150V
    79A
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    TO-220AB
    8A
    400 mJ
    105 ns
    无铅
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