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IRFB4410ZPBF备选型号: FDP75N08A
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 终端
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 雪崩能量等级（Eas）
- 恢复时间
- 最大结点温度（Tj）
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 无铅代码
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 资历状况
- 电压
- 电流
MOSFET N-CH 100V 97A TO-220AB12 Weeks通孔通孔TO-220-33SILICON97A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2004e3活跃1 (Unlimited)3通孔EAR999MOhm镍外哑光锡250301Single增强型MOSFET230WDRAIN16 nsN-ChannelSWITCHING9m Ω @ 58A, 10V4V @ 150μA4820pF @ 50V120nC @ 10V52ns±20V57 ns96A2VTO-220AB20V97A100V100V242 mJ57 ns175°C4 V19.8mm10.6426mm4.82mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅--------
MOSFET N-CH 75V 75A TO-2205 Weeks通孔通孔TO-220-33SILICON75A Tc-55°C~150°C TJTubeUniFET™2006e3活跃1 (Unlimited)3-EAR9911MOhmTin (Sn)未说明未说明-Single增强型MOSFET137W-43 nsN-ChannelSWITCHING11m Ω @ 37.5A, 10V4V @ 250μA4468pF @ 25V104nC @ 10V212ns±20V147 ns75A4VTO-220AB20V-75V-----9.4mm10.67mm4.83mm无SVHC-ROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)yes快速切换75V75A不合格75V75A- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFB3307ZPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 75V 120A TO-220AB | 对比 |
| IRFB4410PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | Mosfet, Power; N-ch; Vdss 100V; Rds(on) 8 Milliohms; Id 88A; TO-220AB; Pd 200W; Vf 1.3V | 对比 |
| IRF2807PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 75V; RDS(ON) 13 Milliohms; ID 82A; TO-220AB; PD 230W; gFS 38S | 对比 |
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