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首页 全部分类 IRFNL210BTA-FP001 vs STQ2HNK60ZR-AP

IRFNL210BTA-FP001备选型号: STQ2HNK60ZR-AP

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  • 无铅
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  • 晶体管元件材料
  • 系列
  • JESD-609代码
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  • 端子位置
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 配置
  • 操作模式
  • 晶体管应用
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • ON Semiconductor
    IRFNL210BTA-FP001
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 200V 1A TO-92L
    LIFETIME (Last Updated: 3 days ago)
    通孔
    通孔
    TO-226-3, TO-92-3 Long Body
    3
    1A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Box (TB)
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    200V
    1A
    Single
    3.1W
    5.2 ns
    N-Channel
    1.5 Ω @ 500mA, 10V
    4V @ 250μA
    225pF @ 25V
    9.3nC @ 10V
    35ns
    ±30V
    25 ns
    1A
    30V
    200V
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STQ2HNK60ZR-AP
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 600V 0.5A TO-92
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    通孔
    通孔
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
    3
    500mA Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Box (TB)
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    10 ns
    N-Channel
    4.8 Ω @ 1A, 10V
    4.5V @ 50μA
    280pF @ 25V
    15nC @ 10V
    30ns
    ±30V
    50 ns
    500mA
    30V
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    8 Weeks
    Tin
    SILICON
    SuperMESH™
    e3
    3
    BOTTOM
    STQ2
    3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    SWITCHING
    600V
    0.5A
    2A
    600V
    120 mJ
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