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首页 全部分类 IRFP150A vs FDA38N30

IRFP150A备选型号: FDA38N30

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 系列
  • Vgs（最大值）
  • 阈值电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • ON Semiconductor
    IRFP150A
    ON Semiconductor
    MOSFET 100V N-Channel A-FET
    ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 3 days ago)
    7 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-3P-3, SC-65-3
    3
    6.401g
    SILICON
    43A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    1997
    e3
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    40MOhm
    Tin (Sn)
    Single
    增强型MOSFET
    193W
    17 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    40m Ω @ 21.5A, 10V
    4V @ 250μA
    2270pF @ 25V
    97nC @ 10V
    20ns
    45 ns
    43A
    20V
    100V
    740 mJ
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDA38N30
    ON Semiconductor
    MOSFET UniFET1 300V N-chan MOSFET
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    4 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-3P-3, SC-65-3
    3
    6.401g
    SILICON
    38A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2013
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    85MOhm
    Tin (Sn)
    Single
    增强型MOSFET
    312W
    53 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    85m Ω @ 19A, 10V
    5V @ 250μA
    2600pF @ 25V
    60nC @ 10V
    110ns
    54 ns
    38A
    30V
    300V
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    UniFET™
    ±30V
    5V
    6.35mm
    6.35mm
    6.35mm
    无SVHC
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