IRFP4332PBF备选型号: IRFP4227PBF
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- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 终端
- ECCN 代码
- 电阻
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 恢复时间
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- MOSFET N-CH 250V 57A TO-247AC12 WeeksTin通孔通孔TO-247-33SILICON57A Tc-40°C~175°C TJBulkHEXFET®2006活跃1 (Unlimited)3通孔EAR9933MOhmULTRA LOW ON-RESISTANCE250V57ASingle增强型MOSFET120mWDRAINN-ChannelSWITCHING33m Ω @ 35A, 10V5V @ 250μA5860pF @ 25V150nC @ 10V±30V57A5VTO-247AC30V250V250V290 ns5 V20.3mm15.875mm5.3mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅----
- MOSFET N-CH 200V 65A TO-247AC12 WeeksTin通孔通孔TO-247-33SILICON65A Tc-40°C~175°C TJTubeHEXFET®2007活跃1 (Unlimited)3通孔EAR9925MOhm快速切换--Single增强型MOSFET330WDRAINN-ChannelSWITCHING25m Ω @ 46A, 10V5V @ 250μA4600pF @ 25V98nC @ 10V±30V65A5VTO-247AC30V200V240V150 ns5 V20.7mm15.87mm5.3086mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅33 ns20ns31 ns260A
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRFP90N20DPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-247-3 | MOSFET N-CH 200V 94A TO-247AC | 对比 |
![]() | IRFP4229PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-247-3 | MOSFET Operating temperature: -40... 175 °C Housing type: TO-247 Power dissipation: 150 W | 对比 |



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