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首页 全部分类 IRFP4668PBF vs IRFP4768PBF

IRFP4668PBF备选型号: IRFP4768PBF

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  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 双电源电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 最大结点温度（Tj）
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    IRFP4668PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 200V 130A TO-247AC
    12 Weeks
    Tin
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    130A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2008
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    通孔
    EAR99
    9.7MOhm
    250
    30
    1
    Single
    增强型MOSFET
    520W
    DRAIN
    41 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    9.7m Ω @ 81A, 10V
    5V @ 250μA
    10720pF @ 50V
    241nC @ 10V
    105ns
    ±30V
    74 ns
    130A
    5V
    TO-247AC
    30V
    200V
    520A
    200V
    760 mJ
    175°C
    5 V
    24.99mm
    15.87mm
    5.3086mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
  • Infineon Technologies
    IRFP4768PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 250V 93A TO-247AC
    12 Weeks
    Tin
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    93A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2009
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    通孔
    EAR99
    17.5MOhm
    -
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    520W
    DRAIN
    36 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    17.5m Ω @ 56A, 10V
    5V @ 250μA
    10880pF @ 50V
    270nC @ 10V
    160ns
    ±20V
    110 ns
    93A
    5V
    TO-247AC
    20V
    250V
    -
    250V
    770 mJ
    -
    5 V
    20.7mm
    15.87mm
    5.3086mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
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