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IRFS3006-7PPBF备选型号: IRFS7530TRLPBF
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 电阻
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 质量
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 终止次数
- 端子表面处理
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 通道数量
- 操作模式
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 漏源电压 (Vdss)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
MOSFET N-CH 60V 240A D2PAK-724 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB7240A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2005Discontinued1 (Unlimited)EAR992.1MOhmSingle375W14 nsN-Channel2.1m Ω @ 168A, 10V4V @ 250μA8850pF @ 50V300nC @ 10V61ns±20V69 ns293A4V20V60V4.572mm10.668mm9.65mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅-----------------
MOSFET N CH 60V 195A D2PAK12 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3195A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®, StrongIRFET™2013活跃1 (Unlimited)EAR99-Single375W52 nsN-Channel2m Ω @ 100A, 10V3.7V @ 250μA13703pF @ 25V411nC @ 10V141ns±20V104 ns195A3.7V20V-4.83mm10.67mm9.65mm无SVHC-ROHS3 Compliant无铅3.949996gSILICONe32Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier鸥翼26030R-PSSO-G21增强型MOSFETDRAINSWITCHING60V0.002Ohm760A60V- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFS7530TRLPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N CH 60V 195A D2PAK | 对比 |
 | IRFS7534TRL7PP | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab) | INFINEON IRFS7534TRL7PP MOSFET Transistor, N Channel, 240 A, 60 V, 0.0016 ohm, 10 V, 3.7 V | 对比 |
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