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首页 全部分类 IRFS450B vs FQAF16N50

IRFS450B备选型号: FQAF16N50

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  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
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  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 触点镀层
  • 引脚数
  • 系列
  • 已出版
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    IRFS450B
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 500V 9.6A TO-3PF
    ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 3 days ago)
    4 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-3P-3 Full Pack
    6.962g
    SILICON
    9.6A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    e3
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    R-PSFM-T3
    Single
    增强型MOSFET
    96W
    ISOLATED
    45 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    390m Ω @ 4.8A, 10V
    4V @ 250μA
    3800pF @ 25V
    113nC @ 10V
    130ns
    ±30V
    125 ns
    9.6A
    30V
    0.39Ohm
    500V
    38.4A
    990 mJ
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FQAF16N50
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 500V 11.3A TO-3PF
    ACTIVE (Last Updated: 13 hours ago)
    4 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-3P-3 Full Pack
    6.962g
    SILICON
    11.3A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    110W
    ISOLATED
    45 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    320m Ω @ 5.65A, 10V
    5V @ 250μA
    3000pF @ 25V
    75nC @ 10V
    180ns
    ±30V
    100 ns
    11.3A
    30V
    -
    500V
    45.2A
    980 mJ
    无
    ROHS3 Compliant
    Tin
    3
    QFET®
    2013
    500V
    11.3A
    16.7mm
    15.7mm
    5.7mm
    无铅
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