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首页 全部分类 IRFS7534TRL7PP vs IRFS7530TRLPBF

IRFS7534TRL7PP备选型号: IRFS7530TRLPBF

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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
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  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • JESD-609代码
  • 端子表面处理
  • 功率耗散
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • Infineon Technologies
    IRFS7534TRL7PP
    Infineon Technologies
    INFINEON IRFS7534TRL7PP MOSFET Transistor, N Channel, 240 A, 60 V, 0.0016 ohm, 10 V, 3.7 V
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
    7
    1.59999g
    SILICON
    240A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®, StrongIRFET™
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    鸥翼
    未说明
    未说明
    R-PSSO-G6
    1
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    140 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1.95m Ω @ 100A, 10V
    3.7V @ 250μA
    9990pF @ 25V
    300nC @ 10V
    120ns
    60V
    ±20V
    86 ns
    240A
    3.7V
    TO-263CB
    20V
    60V
    4.83mm
    10.67mm
    9.65mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFS7530TRLPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N CH 60V 195A D2PAK
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    3.949996g
    SILICON
    195A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®, StrongIRFET™
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    鸥翼
    260
    30
    R-PSSO-G2
    1
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    52 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    2m Ω @ 100A, 10V
    3.7V @ 250μA
    13703pF @ 25V
    411nC @ 10V
    141ns
    60V
    ±20V
    104 ns
    195A
    3.7V
    -
    20V
    60V
    4.83mm
    10.67mm
    9.65mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    e3
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    375W
    0.002Ohm
    760A
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