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首页 全部分类 IRFSL7437PBF vs IRF1404LPBF

IRFSL7437PBF备选型号: IRF1404LPBF

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  • 栅源电压
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  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
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  • 通道数量
  • 元素配置
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • Infineon Technologies
    IRFSL7437PBF
    Infineon Technologies
    Single N-Channel 40 V 1.8 mOhm 150 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-262
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
    3
    SILICON
    195A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®, StrongIRFET™
    2012
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    1.8MOhm
    SINGLE
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    230W
    DRAIN
    19 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1.8m Ω @ 100A, 10V
    3.9V @ 150μA
    7330pF @ 25V
    225nC @ 10V
    70ns
    ±20V
    53 ns
    195A
    3V
    20V
    40V
    802 mJ
    3 V
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF1404LPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 40V 162A TO-262
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
    3
    SILICON
    162A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2004
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    4mOhm
    -
    -
    增强型MOSFET
    200W
    DRAIN
    17 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    4m Ω @ 95A, 10V
    4V @ 250μA
    7360pF @ 25V
    200nC @ 10V
    140ns
    ±20V
    26 ns
    162A
    4V
    20V
    40V
    -
    4 V
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    e3
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA LOW RESISTANCE
    40V
    260
    162A
    30
    1
    Single
    75A
    650A
    9.652mm
    10.668mm
    4.826mm
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