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IRFSL7534PBF备选型号: IRFSL7530PBF
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- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 功率耗散
- 漏源击穿电压
MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK12 WeeksSurface Mount, Through Hole表面贴装TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA32.084002gSILICON195A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®, StrongIRFET™2013活跃1 (Unlimited)3EAR99未说明未说明1Single增强型MOSFETDRAIN20 nsN-ChannelSWITCHING2.4m Ω @ 100A, 10V3.7V @ 250μA10034pF @ 25V279nC @ 10V134ns60V±20V93 ns195A3.7V20V0.0024Ohm944A60V775 mJ无SVHCROHS3 Compliant--- MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK12 WeeksSurface Mount, Through Hole表面贴装TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA32.084002gSILICON195A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®, StrongIRFET™2004活跃1 (Unlimited)3EAR99未说明未说明1Single增强型MOSFETDRAIN52 nsN-ChannelSWITCHING2m Ω @ 100A, 10V3.7V @ 250μA13703pF @ 25V411nC @ 10V141ns-±20V104 ns195A3.7V20V0.002Ohm760A--无SVHCROHS3 Compliant375W60V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
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