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IRFSL7537PBF备选型号: IRFSL3206PBF
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- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
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- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 达到SVHC
- RoHS状态
- JESD-609代码
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 端子位置
- 额定电流
- 配置
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- 无铅
MOSFET N-CH 60V 173A TO26212 Weeks通孔通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA32.084002gSILICON173A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®, StrongIRFET™2013活跃1 (Unlimited)3EAR99未说明未说明1Single增强型MOSFET230WDRAIN15 nsN-ChannelSWITCHING3.3m Ω @ 100A, 10V3.7V @ 150μA7020pF @ 25V210nC @ 10V105ns±20V84 ns173A3.7V20V60V700A554 mJ无SVHCROHS3 Compliant------------ MOSFET N-CH 60V 120A TO-26212 Weeks通孔通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA3-SILICON120A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2008活跃1 (Unlimited)3EAR9926030--增强型MOSFET300WDRAIN19 nsN-ChannelSWITCHING3m Ω @ 75A, 10V4V @ 150μA6540pF @ 50V170nC @ 10V82ns±20V83 ns120A-20V60V840A--ROHS3 Compliante3Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier60VSINGLE210ASINGLE WITH BUILT-IN DIODE9.65mm10.668mm4.826mm无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFSL3306PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 60V 120A TO-262 | 对比 |
| AUIRF3805L | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 55V 160A TO262 | 对比 |
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