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IRFTS8342TRPBF备选型号: IRFTS9342TRPBF
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子位置
- 终端形式
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 恢复时间
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 配置
- 漏源电压 (Vdss)
MOSFET N-CH 30V 8.2A 6TSOP12 WeeksTin表面贴装表面贴装SOT-23-66SILICON8.2A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2008活跃1 (Unlimited)6EAR9919MOhmDUAL鸥翼Single增强型MOSFET2W7.3 nsN-ChannelSWITCHING19m Ω @ 8.2A, 10V2.35V @ 25μA560pF @ 25V4.8nC @ 4.5V15ns±20V8.2 ns8.2A1.8V20V30V80A12 ns1.8 V1.3mm3mm1.75mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅--- MOSFET P-CH 30V 5.8A 6TSOP12 Weeks-表面贴装表面贴装SOT-23-66SILICON5.8A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2012活跃1 (Unlimited)6EAR9940MOhmDUAL鸥翼-增强型MOSFET2W4.6 nsP-ChannelSWITCHING40m Ω @ 5.8A, 10V2.4V @ 25μA595pF @ 25V12nC @ 10V13ns±20V28 ns5.8A-1.3V20V-30V-30 ns----无SVHC无ROHS3 Compliant无铅SINGLE WITH BUILT-IN DIODE30V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
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