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首页 全部分类 IRFU3303PBF vs NTD4979N-35G

IRFU3303PBF备选型号: NTD4979N-35G

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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • Reach合规守则
  • 操作模式
  • Infineon Technologies
    IRFU3303PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 33A I-PAK
    通孔
    通孔
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
    3
    IPAK (TO-251)
    33A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2004
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    30V
    33A
    Single
    57W
    11 ns
    N-Channel
    31mOhm @ 18A, 10V
    4V @ 250μA
    750pF @ 25V
    29nC @ 10V
    99ns
    30V
    ±20V
    28 ns
    33A
    20V
    30V
    750pF
    31mOhm
    31 mΩ
    6.22mm
    6.7056mm
    2.3876mm
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTD4979N-35G
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 9.4A IPAK TRIMME
    通孔
    通孔
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
    3
    -
    9.4A Ta 41A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    -
    2012
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    Single
    2.56W
    10 ns
    N-Channel
    9m Ω @ 30A, 10V
    2.5V @ 250μA
    837pF @ 15V
    16.5nC @ 10V
    27ns
    -
    ±20V
    6.4 ns
    41A
    20V
    30V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    2 Weeks
    not_compliant
    增强型MOSFET
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