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IRFU3806PBF备选型号: NTD20N06-1G
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- 晶体管元件材料
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- 包装
- 操作温度
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 恢复时间
- 宽度
- 长度
- 高度
- RoHS状态
- 辐射硬化
- 达到SVHC
- 无铅
- HTS代码
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 箱体转运
- 漏极-源极导通最大电阻
- 雪崩能量等级（Eas）
MOSFET N-CH 60V 43A I-PAKTO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA通孔通孔3SILICON49 ns2008HEXFET®Tube-55°C~175°C TJe3Obsolete1 (Unlimited)3EAR9915.8MOhmMatte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier26030Single增强型MOSFET71W6.3 nsN-ChannelSWITCHING15.8m Ω @ 25A, 10V4V @ 50μA1150pF @ 50V30nC @ 10V40ns±20V47 ns43A4V20V60V170A33 ns2.39mm6.73mm6.22mm符合RoHS标准无无SVHC无铅---------
MOSFET N-CH 60V 20A IPAKTO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA通孔通孔-SILICON20A Ta2007-Tube-55°C~175°C TJe3Obsolete1 (Unlimited)3--Tin (Sn)260未说明Single增强型MOSFET60W-N-ChannelSWITCHING46m Ω @ 10A, 10V4V @ 250μA1015pF @ 25V30nC @ 10V60.5ns±20V37.1 ns20A-20V60V60A----符合RoHS标准--无铅8541.29.00.9560V20A3R-PSIP-T3不合格DRAIN0.046Ohm170 mJ- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| NTD24N06-001 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-CH 60V 24A IPAK | 对比 |
| IRFU1205PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-CH 55V 44A I-PAK | 对比 |
| NTD24N06-1G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-CH 60V 24A IPAK | 对比 |
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