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首页 全部分类 IRFZ24NPBF vs IRLZ24NPBF

IRFZ24NPBF备选型号: IRLZ24NPBF

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  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 双电源电压
  • 最大结点温度（Tj）
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
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  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
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  • 端子表面处理
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
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  • 资历状况
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 恢复时间
  • Infineon Technologies
    IRFZ24NPBF
    Infineon Technologies
    Transistor MOSFET N Channel 55 Volt 17 Amp 3 Pin 3 Tab TO-220 AB
    12 Weeks
    Tin
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    17A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    1999
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    通孔
    EAR99
    70mOhm
    雪崩 额定
    55V
    17A
    2.54mm
    1
    Single
    增强型MOSFET
    45W
    DRAIN
    4.9 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    70m Ω @ 10A, 10V
    4V @ 250μA
    370pF @ 25V
    20nC @ 10V
    34ns
    ±20V
    27 ns
    17A
    2V
    TO-220AB
    20V
    55V
    68A
    55V
    175°C
    4 V
    19.8mm
    10.5156mm
    4.69mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRLZ24NPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 55V 18A TO-220AB
    12 Weeks
    -
    PCB, Through Hole
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    18A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2002
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    EAR99
    60mOhm
    AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
    55V
    17A
    2.54mm
    -
    Single
    增强型MOSFET
    45W
    DRAIN
    7.1 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    60m Ω @ 11A, 10V
    2V @ 250μA
    480pF @ 25V
    15nC @ 5V
    74ns
    ±16V
    29 ns
    18A
    2V
    TO-220AB
    16V
    55V
    72A
    55V
    -
    2 V
    15.24mm
    10.5156mm
    4.69mm
    无SVHC
    -
    ROHS3 Compliant
    Contains Lead, Lead Free
    e3
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    250
    30
    不合格
    68 mJ
    90 ns
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