IRG4BC20MDPBF备选型号: IRG4BC20SDPBF

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  • 描述:
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 供应商器件包装
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 电压 - 额定直流
  • 最大功率耗散
  • 额定电流
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 输入类型
  • 功率 - 最大
  • 上升时间
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 反向恢复时间
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
  • 闸门收费
  • 集极脉冲电流(Icm)
  • Td(开/关)@25°C
  • 开关能量
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 晶体管元件材料
  • 终止次数
  • 终端
  • ECCN 代码
  • 附加功能
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 极性/通道类型
  • JEDEC-95代码
  • 接通时间
  • 关断时间-标准值(toff)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • Infineon Technologies
    IGBT 600V 18A 60W TO220AB
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    TO-220AB
    600V
    2.1V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2010
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    600V
    60W
    18A
    Single
    60W
    Standard
    60W
    37ns
    2.1V
    18A
    37 ns
    600V
    2.1V @ 15V, 11A
    39nC
    36A
    21ns/463ns
    410μJ (on), 2.03mJ (off)
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IGBT 600V 19A 60W TO220AB
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    -
    600V
    1.6V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2010
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    600V
    60W
    19A
    Single
    60W
    Standard
    -
    35ns
    1.6V
    19A
    37 ns
    -
    1.6V @ 15V, 10A
    27nC
    38A
    62ns/690ns
    320μJ (on), 2.58mJ (off)
    符合RoHS标准
    Contains Lead, Lead Free
    18 Weeks
    SILICON
    3
    通孔
    EAR99
    低导通损耗
    COLLECTOR
    62 ns
    电源控制
    N-CHANNEL
    TO-220AB
    99 ns
    1780 ns
    8.77mm
    10.54mm
    4.69mm
    无SVHC
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