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首页 全部分类 IRG4BC20SPBF vs HGTP12N60C3D

IRG4BC20SPBF备选型号: HGTP12N60C3D

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  • 开关能量
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
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  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 质量
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  • 无铅代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • HTS代码
  • 基本部件号
  • 极性
  • 反向恢复时间
  • Infineon Technologies
    IRG4BC20SPBF
    Infineon Technologies
    IGBT 600V 19A 60W TO220AB
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    600V
    1.4V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2000
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    通孔
    EAR99
    600V
    60W
    SINGLE
    19A
    Dual
    60W
    COLLECTOR
    Standard
    27 ns
    电源控制
    9.7ns
    N-CHANNEL
    1.6V
    19A
    TO-220AB
    38 ns
    1.6V @ 15V, 10A
    1540 ns
    27nC
    38A
    27ns/540ns
    120μJ (on), 2.05mJ (off)
    20V
    6V
    8.77mm
    10.54mm
    4.69mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    HGTP12N60C3D
    ON Semiconductor
    IGBT 600V 24A 104W TO220AB
    5 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    600V
    1.65V
    -40°C~150°C TJ
    Tube
    2011
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    -
    EAR99
    600V
    104W
    -
    24A
    Single
    104W
    COLLECTOR
    Standard
    28 μs
    MOTOR CONTROL
    -
    -
    600V
    24A
    TO-220AB
    48 ns
    2.2V @ 15V, 15A
    480 ns
    48nC
    96A
    -
    380μJ (on), 900μJ (off)
    -
    -
    -
    -
    -
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 2 days ago)
    1.8g
    e3
    yes
    Tin (Sn)
    低导通损耗
    8541.29.00.95
    HGTP12N60
    NPN
    40 ns
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