您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 IRG4BC30S-SPBF vs HGT1S7N60A4DS

IRG4BC30S-SPBF备选型号: HGT1S7N60A4DS

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 供应商器件包装
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 电压 - 额定直流
  • 最大功率耗散
  • 额定电流
  • 基本部件号
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 输入类型
  • 接通延迟时间
  • 功率 - 最大
  • 上升时间
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
  • 闸门收费
  • 集极脉冲电流（Icm）
  • Td（开/关）@25°C
  • 开关能量
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 反向恢复时间
  • Infineon Technologies
    IRG4BC30S-SPBF
    Infineon Technologies
    IGBT 600V 34A 100W D2PAK
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    D2PAK
    600V
    1.6V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2010
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    600V
    100W
    34A
    IRG4BC30S-SPBF
    Single
    100W
    Standard
    22 ns
    100W
    18ns
    1.6V
    34A
    600V
    1.6V @ 15V, 18A
    50nC
    68A
    22ns/540ns
    260μJ (on), 3.45mJ (off)
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
  • ON Semiconductor
    HGT1S7N60A4DS
    ON Semiconductor
    IGBT 600V 34A 125W TO263AB
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    -
    600V
    1.9V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    125W
    -
    -
    Single
    125W
    Standard
    -
    -
    -
    600V
    34A
    -
    2.7V @ 15V, 7A
    37nC
    56A
    11ns/100ns
    55μJ (on), 60μJ (off)
    -
    符合RoHS标准
    -
    22 ns
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
IRG4BC30FD-SPBF IRG4BC30FD-SPBF Infineon Technologies 晶体管 - IGBT - 单个 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB IGBT 600V 31A 100W D2PAK 对比
AUIRG4BC30S-S AUIRG4BC30S-S Infineon Technologies 晶体管 - IGBT - 单个 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB IGBT 600V 34A 100W D2PAK 对比