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首页 全部分类 IRG4PF50WDPBF vs APT27GA90BD15

IRG4PF50WDPBF备选型号: APT27GA90BD15

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  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
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  • 长度
  • 宽度
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  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
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  • 无铅代码
  • 端子表面处理
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 功率 - 最大
  • IGBT类型
  • Infineon Technologies
    IRG4PF50WDPBF
    Infineon Technologies
    IGBT 900V 51A 200W TO247AC
    14 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    900V
    2.25V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    1998
    最后一次购买
    1 (Unlimited)
    3
    通孔
    EAR99
    低导通损耗
    900V
    200W
    SINGLE
    51A
    Dual
    200W
    COLLECTOR
    Standard
    71 ns
    电源控制
    52ns
    N-CHANNEL
    2.7V
    51A
    90 ns
    TO-247AC
    121 ns
    2.7V @ 15V, 28A
    460 ns
    160nC
    204A
    71ns/150ns
    2.63mJ (on), 1.34mJ (off)
    20V
    6V
    20.7mm
    15.87mm
    5.3086mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Microsemi Corporation
    APT27GA90BD15
    Microsemi Corporation
    IGBT 900V 48A 223W TO247
    33 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    -
    SILICON
    600V, 14A, 10 Ω, 15V
    -
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    1999
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    EAR99
    -
    -
    223W
    -
    -
    Single
    -
    COLLECTOR
    Standard
    -
    电源控制
    -
    N-CHANNEL
    900V
    48A
    -
    TO-247AD
    18 ns
    3.1V @ 15V, 14A
    281 ns
    62nC
    79A
    9ns/98ns
    413μJ (on), 287μJ (off)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    无
    符合RoHS标准
    -
    e1
    yes
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    3
    R-PSFM-T3
    223W
    PT
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