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首页 全部分类 IRG7PH35UD-EP vs FGH25T120SMD-F155

IRG7PH35UD-EP备选型号: FGH25T120SMD-F155

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  • 开关能量
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 质量
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 端子表面处理
  • 功率耗散
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    IRG7PH35UD-EP
    Infineon Technologies
    IGBT 1200V 50A COPAK247
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    1.2kV
    1.9V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2010
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    180W
    未说明
    未说明
    IRG7PH35
    不合格
    Single
    COLLECTOR
    Standard
    180W
    电源控制
    N-CHANNEL
    2.2V
    50A
    105 ns
    TO-247AD
    1200V
    45 ns
    2.2V @ 15V, 20A
    400 ns
    Trench
    85nC
    60A
    30ns/160ns
    1.06mJ (on), 620μJ (off)
    6V
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FGH25T120SMD-F155
    ON Semiconductor
    IGBT Transistors 1200V, 25A Field Stop Trench IGBT
    5 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    1.2kV
    1.9V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2014
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    428W
    260
    -
    -
    -
    Single
    COLLECTOR
    Standard
    -
    电源控制
    N-CHANNEL
    1.2kV
    50A
    60ns
    TO-247AB
    1200V
    88 ns
    2.4V @ 15V, 25A
    584 ns
    沟渠现场停车
    225nC
    100A
    40ns/490ns
    1.74mJ (on), 560μJ (off)
    7.5V
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
    6.39g
    e3
    yes
    TIN
    428W
    25V
    无
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