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IRGS15B60KDPBF备选型号: IRGS10B60KDPBF
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- 安装类型
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- 晶体管元件材料
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- JESD-30代码
- 上升时间-最大值
- 元素配置
- 功率耗散
- 箱体转运
- 输入类型
- 功率 - 最大
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 反向恢复时间
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
- 关断时间-标准值（toff)
- IGBT类型
- 闸门收费
- 集极脉冲电流（Icm）
- Td（开/关）@25°C
- 开关能量
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 上升时间
- 无铅
IGBT 600V 31A 208W D2PAK16 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON600V1.8V-55°C~150°C TJTube2004e3Obsolete1 (Unlimited)2EAR99Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier超快208W鸥翼26030IRGS15B60KDPBFR-PSSO-G225nsSingle139WCOLLECTORStandard208WMOTOR CONTROLN-CHANNEL2.2V31A92 ns52 ns2.2V @ 15V, 15A231 nsNPT56nC62A34ns/184ns220μJ (on), 340μJ (off)20V5.5V4.572mm10.668mm9.652mm无SVHC无符合RoHS标准----- IGBT 600V 22A 156W D2PAK13 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON600V1.8V-55°C~150°C TJTube2012e3Obsolete1 (Unlimited)2EAR99Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier-156W鸥翼26030IRGS10B60KDPBFR-PSSO-G2-Single156WCOLLECTORStandard-MOTOR CONTROLN-CHANNEL2.2V22A90 ns50 ns2.2V @ 15V, 10A276 nsNPT38nC44A30ns/230ns140μJ (on), 250μJ (off)20V5.5V4.699mm10.668mm9.652mm-无符合RoHS标准600V22A20ns无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FGB20N60SFD-F085 | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT 600V 40A 208W D2PAK | 对比 |
| IRG4BC30FD-SPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT 600V 31A 100W D2PAK | 对比 |
| IRGS4620DPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT 600V 32A 140W D2PAK | 对比 |
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