IRL3705NSTRLPBF备选型号: IRL3705ZSTRLPBF
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 恢复时间
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 端子表面处理
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- MOSFET N-CH 55V 89A D2PAK12 WeeksTin表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON89A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2004e3活跃1 (Unlimited)2EAR9910mOhmAVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY55V鸥翼26089A30R-PSSO-G2Single增强型MOSFET170WDRAIN12 nsN-ChannelSWITCHING10m Ω @ 46A, 10V2V @ 250μA3600pF @ 25V98nC @ 5V140ns±16V78 ns89A2V16V55V140 ns2 V4.699mm10.668mm10.16mm无SVHC无ROHS3 CompliantContains Lead, Lead Free--
- MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK12 Weeks-表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON75A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2010e3活跃1 (Unlimited)2EAR998MOhmAVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, LOGIC LEVEL COMPATIBLE, ULTRA-LOW RESISTANCE-鸥翼260-30R-PSSO-G2Single增强型MOSFET130WDRAIN17 nsN-ChannelSWITCHING8m Ω @ 52A, 10V3V @ 250μA2880pF @ 25V60nC @ 5V240ns±16V83 ns86A-16V55V--4.699mm10.668mm9.65mm-无ROHS3 Compliant无铅Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier75A
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRL3705ZSTRLPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK | 对比 |
![]() | IRF3205STRLPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK | 对比 |



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