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IRL540NLPBF备选型号: IPI180N10N3GXKSA1
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- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 功率耗散
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 栅源电压
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- 端子表面处理
- 端子位置
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 无卤素
- 下降时间（典型值）
- 最大双电源电压
- 雪崩能量等级（Eas）
MOSFET N-CH 100V 36A TO-262通孔通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA336A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2004Obsolete1 (Unlimited)EAR99100V36A140WN-Channel44m Ω @ 18A, 10V2V @ 250μA1800pF @ 25V74nC @ 5V81ns±16V36A16V100V2 V无SVHC符合RoHS标准无铅--------------------
Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(3 Tab) TO-262通孔通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA-43A Tc-55°C~175°C TJTubeOptiMOS™2008活跃1 (Unlimited)EAR99--71WN-Channel18m Ω @ 33A, 10V3.5V @ 33μA1800pF @ 50V25nC @ 10V-±20V43A20V---ROHS3 Compliant无铅18 WeeksSILICONe3yes3Tin (Sn)SINGLE未说明未说明3R-PSIP-T3不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET12 nsSWITCHING无卤素5 ns100V50 mJ- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | STI45N10F7 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 100V 45A I2PAK | 对比 |
| IPI50N10S3L16AKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 100V 50A TO262-3 | 对比 |
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