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首页 全部分类 IRL5602SPBF vs NDB6020P

IRL5602SPBF备选型号: NDB6020P

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  • 漏源击穿电压
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  • 输入电容
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  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
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  • 生命周期状态
  • 质量
  • 晶体管元件材料
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  • 无铅代码
  • 终止次数
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  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 终端形式
  • JESD-30代码
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    IRL5602SPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    D2PAK
    24A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2005
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    SMD/SMT
    175°C
    -55°C
    -20V
    -24A
    Single
    75W
    9.7 ns
    P-Channel
    42mOhm @ 12A, 4.5V
    1V @ 250μA
    1460pF @ 15V
    44nC @ 4.5V
    73ns
    20V
    ±8V
    84 ns
    -24A
    -1V
    8V
    -20V
    -20V
    1.46nF
    42mOhm
    42 mΩ
    -1 V
    4.83mm
    10.67mm
    9.65mm
    无SVHC
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NDB6020P
    ON Semiconductor
    P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor -20V, -24A, 50mO
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    -
    24A Tc
    -65°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    1998
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -20V
    -24A
    Single
    60W
    15 ns
    P-Channel
    50m Ω @ 12A, 4.5V
    1V @ 250μA
    1590pF @ 10V
    35nC @ 5V
    27ns
    20V
    ±8V
    70 ns
    24A
    -700mV
    8V
    -20V
    -
    -
    -
    -
    -
    11.33mm
    10.67mm
    4.83mm
    无SVHC
    符合RoHS标准
    无铅
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago)
    1.31247g
    SILICON
    e3
    yes
    2
    EAR99
    50mOhm
    Tin (Sn)
    逻辑电平兼容
    鸥翼
    R-PSSO-G2
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    70A
    无
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