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首页 全部分类 IRL6283MTRPBF vs IRF6620TRPBF

IRL6283MTRPBF备选型号: IRF6620TRPBF

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  • JESD-609代码
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 端子位置
  • 额定电流
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • Infineon Technologies
    IRL6283MTRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 20V 211A DIRECTFET
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric MD
    8
    38A Ta 211A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®, StrongIRFET™
    2013
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    1
    Single
    2.1W
    23 ns
    N-Channel
    0.75m Ω @ 50A, 10V
    1.1V @ 100μA
    8292pF @ 10V
    158nC @ 4.5V
    160ns
    20V
    ±12V
    192 ns
    211A
    800mV
    12V
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF6620TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 20V 27A DIRECTFET
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric MX
    5
    27A Ta 150A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2006
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    -
    89W
    18 ns
    N-Channel
    2.7m Ω @ 27A, 10V
    2.45V @ 250μA
    4130pF @ 10V
    42nC @ 4.5V
    80ns
    -
    ±20V
    6.6 ns
    22A
    -
    20V
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    12 Weeks
    SILICON
    e1
    3
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    低导通损耗
    20V
    BOTTOM
    27A
    R-XBCC-N3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    0.0027Ohm
    20V
    220A
    39 mJ
    2.45 V
    506μm
    6.35mm
    5.05mm
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