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IRL7833LPBF备选型号: FDI030N06
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- 电压 - 额定直流
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- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 元素配置
- 操作模式
- 晶体管应用
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 高度
- 长度
- 宽度
MOSFET N-CH 30V 150A TO-262通孔通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA150A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2004Obsolete1 (Unlimited)30V150A140W18 nsN-Channel3.8m Ω @ 38A, 10V2.3V @ 250μA4170pF @ 15V47nC @ 4.5V50ns±20V6.9 ns150A20V30V无符合RoHS标准无铅-----------------
MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK通孔通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA120A Tc-55°C~175°C TJTubePowerTrench®2013活跃1 (Unlimited)--231W39 nsN-Channel3.2m Ω @ 75A, 10V4.5V @ 250μA9815pF @ 25V151nC @ 10V178ns±20V33 ns193A20V60V无ROHS3 Compliant-ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)9 Weeks32.387gSILICONe3yes3EAR99Tin (Sn)Single增强型MOSFETSWITCHING772A4.83mm10.29mm9.65mm- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFSL7734PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 75V 183A TO262 | 对比 |
| AUIRFSL8403 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 40V 123A TO262 | 对比 |
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