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首页 全部分类 IRLL024ZPBF vs IRFL024ZTRPBF

IRLL024ZPBF备选型号: IRFL024ZTRPBF

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  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
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  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • Infineon Technologies
    IRLL024ZPBF
    Infineon Technologies
    Transistor: N-MOSFET; unipolar; HEXFET; 55V; 5A; 2.8W; SOT223
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-261-4, TO-261AA
    3
    5A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    1999
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    EAR99
    60MOhm
    55V
    5A
    Single
    2.8W
    8.6 ns
    N-Channel
    60m Ω @ 3A, 10V
    3V @ 250μA
    380pF @ 25V
    11nC @ 5V
    33ns
    ±16V
    15 ns
    5A
    3V
    16V
    55V
    55V
    3 V
    1.4478mm
    6.6802mm
    3.7mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFL024ZTRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 55V 5.1A SOT223
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-261-4, TO-261AA
    3
    5.1A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2010
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    57.5MOhm
    55V
    1A
    Single
    2.8W
    7.8 ns
    N-Channel
    57.5m Ω @ 3.1A, 10V
    4V @ 250μA
    340pF @ 25V
    14nC @ 10V
    21ns
    ±20V
    23 ns
    5.1A
    4V
    20V
    55V
    55V
    4 V
    1.4478mm
    6.6802mm
    3.7mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    Contains Lead, Lead Free
    SILICON
    e3
    4
    Matte Tin (Sn)
    AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
    DUAL
    鸥翼
    260
    30
    R-PDSO-G4
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
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