您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 IRLR2703PBF vs IRLR2703TRPBF

IRLR2703PBF备选型号: IRLR2703TRPBF

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 双电源电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 恢复时间
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • Infineon Technologies
    IRLR2703PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 23A DPAK
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    23A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2003
    e3
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    45mOhm
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    雪崩 额定
    30V
    鸥翼
    260
    23A
    30
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    38W
    DRAIN
    8.5 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    45m Ω @ 14A, 10V
    1V @ 250μA
    450pF @ 25V
    15nC @ 4.5V
    140ns
    ±16V
    20 ns
    23A
    1V
    TO-252AA
    16V
    30V
    96A
    30V
    77 mJ
    97 ns
    1 V
    2.39mm
    6.73mm
    6.22mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
  • Infineon Technologies
    IRLR2703TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 23A DPAK
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    23A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2004
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    45mOhm
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    雪崩 额定
    30V
    鸥翼
    260
    23A
    30
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    38W
    DRAIN
    8.5 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    45m Ω @ 14A, 10V
    1V @ 250μA
    450pF @ 25V
    15nC @ 4.5V
    140ns
    ±16V
    20 ns
    23A
    -
    TO-252AA
    16V
    30V
    96A
    -
    77 mJ
    -
    1 V
    2.3876mm
    6.7056mm
    6.22mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    12 Weeks
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
NTD23N03RG NTD23N03RG ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 MOSFET N-CH 25V 3.8A DPAK 对比
NTD23N03RT4 NTD23N03RT4 ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 MOSFET N-CH 25V 3.8A DPAK 对比
STD27N3LH5 STD27N3LH5 STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 MOSFET N-channel 30 V 27 A DPAK IPAK 对比