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IRLR2705TRPBF备选型号: HUF76419D3ST
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 终端
- ECCN 代码
- 电阻
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 恢复时间
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
Mosfet, Power; N-ch; Vdss 55V; Rds(on) 0.04 Ohm; Id 28A; D-pak (TO-252AA); Pd 68W; -55DE12 WeeksTin表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633SILICON28A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2005e3活跃1 (Unlimited)2SMD/SMTEAR9940mOhmLOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED55V鸥翼26024A30R-PSSO-G2Single增强型MOSFET46WDRAIN8.9 nsN-ChannelSWITCHING40m Ω @ 17A, 10V2V @ 250μA880pF @ 25V25nC @ 5V100ns±16V29 ns28A2VTO-252AA16V55V55V110 ns2 V2.3876mm6.7056mm6.22mm无SVHC无ROHS3 CompliantContains Lead, Lead Free- MOSFET N-CH 60V 20A DPAK--表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633-20A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)UltraFET™2002-Obsolete1 (Unlimited)-----60V--20A--Single-75W--N-Channel-37m Ω @ 20A, 10V3V @ 250μA900pF @ 25V27.5nC @ 10V35ns±16V50 ns20A--16V60V--------符合RoHS标准无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRLR3105PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 55V 25A DPAK | 对比 |
| IRLR3105TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 55V 25A DPAK | 对比 |
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