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首页 全部分类 IRLS640A vs IRF200B211

IRLS640A备选型号: IRF200B211

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  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 系列
  • 已出版
  • 电阻
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 漏源电压 (Vdss)
  • ON Semiconductor
    IRLS640A
    ON Semiconductor
    MOSFET 200V N-Channel a-FET Logic Level
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    9 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    2.27g
    SILICON
    9.8A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    逻辑电平兼容
    200V
    9.8A
    Single
    增强型MOSFET
    40W
    ISOLATED
    11 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    180m Ω @ 4.9A, 5V
    2V @ 250μA
    1705pF @ 25V
    56nC @ 5V
    8ns
    ±20V
    15 ns
    9.8A
    20V
    200V
    64 mJ
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF200B211
    Infineon Technologies
    Single N-Channel 200 V 170 mOhm 15.3 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3
    -
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    -
    -
    -
    12A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    N-Channel
    -
    170m Ω @ 7.2A, 10V
    4.9V @ 50μA
    790pF @ 50V
    23nC @ 10V
    -
    ±20V
    -
    12A
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    HEXFET®, StrongIRFET™
    2013
    170mOhm
    未说明
    未说明
    200V
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